Pamäťe kombinujúce NAND a RAM by mohli byť oveľa lacnejšie a s podstatne nižšou spotrebou energie

Výskumníci z Kórejského inštitútu pre pokročilú vedu a technológie (KAIST) vyvíjajú nové pamäťové zariadenie, ktoré kombinuje vlastnosti pamätí DRAM a NAND flash. Prelomový objav tímu, ktorý viedol profesor Shinhyun Choi, by mohol potenciálne nahradiť existujúce pamäťové riešenia alebo sa použiť v hardvéri umelej inteligencie novej generácie.

Zariadenie využíva pamäť novej generácie s fázovou zmenou, čím poskytuje nevolatilné, vysokorýchlostné riešenie, ktoré spája to najlepšie z pamätí DRAM a NAND flash. Predchádzajúce verzie pamäte s fázovou zmenou spotrebúvali veľa energiu a mali vysoké náklady.

Tím profesora Choia však našiel spôsob, ako vytvoriť materiály s fázovou zmenou na malej ploche, čo viedlo k vytvoreniu pamäťového zariadenia s veľmi nízkou spotrebou energie, ktoré spotrebuje 15-krát menej energie ako predchádzajúce modely. Tento prelomový objav sľubuje zníženie výrobných nákladov a zlepšenie energetickej účinnosti a mohol by vydláždiť cestu pre trojrozmerné vertikálne pamäte s vysokou hustotou a neuromorfné počítačové systémy.

Zdroj: techradar.com.